Unipolární tranzistory

Tranzistor IRF3205SPBF od výrobce International Rectifier s maximálním napětím 55V a proudem 110A v pouzdru D2PAK

Tranzistor BSS138 od výrobce Micro Commercial Components (MCC) s maximálním napětím 50V a proudem 0,22A v pouzdru SOT23

Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 30V a proudem 86A v pouzdru DPAK

Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 30V a proudem 5,7A v pouzdru SOT23 od výrobce Alpha & Omega

Tranzistor BSS138W od výrobce Infineon s maximálním napětím 60V a proudem 0,28A v pouzdru SOT323

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 43A v pouzdru D-PAK

Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 30V a proudem 10A v pouzdru SO8 od výrobce Alpha & Omega

Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 30V a proudem 12,7A v pouzdru SO8 od výrobce Alpha & Omega

Tranzistor N-MOSFET s napětím 30V, proudem 6A a výkonem 1,28W v pouzdru TSOP6 od výrobce Alpha & Omega Semiconductor

Tranzistor P-mosfet s maximálním napětím 30V a proudem 18A v pouzdru TO252 od výrobce Alpha & Omega

Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 500V a proudem 5A v pouzdru TO252 od výrobce Alpha & Omega

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 40V a proudem 250A v pouzdru D2PAK od výrobce Infineon

Tranzistor BSP125 od výrobce Infineon s maximálním napětím 600V a proudem 0,12A v pouzdru SOT223

Tranzistor BSS123 v pouzdru SOT23 s maximálním napětím 100V a proudem 0,17A 

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 100V a proudem 0,17A v pouzdru SOT23 od výrobce Diodes Incorporated

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 600V a proudem 0,021A v pouzdru SOT23 od výrobce Infineon

Tranzistor N-MOSFET s napětím 30V, proudem 8,5A a výkonem 2,5W v pouzdru SO8 od výrobce ON Semiconductor

Tranzistor FQD18N20V2TM od výrobce ON Semiconductor s maximálním napětím 200V a proudem 15A v pouzdru DPAK

Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 55V a proudem 100A v pouzdru D2PAK od výrobce Infineon

Tranzistor N-MOSFET IPD031N06L3 s maximálním napětím 60V a proudem 100A v pouzdru DPAK od výrobce Infineon