IGBT tranzistory a moduly
Nejprodávanější
Tranzistor IHW15N120R3 (H15R1203) od výrobce Infineon s maximálním napětím 1200V a proudem 30A v pouzdru TO247-3
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 600V a proudem 14A v pouzdru TO220FP od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor IXGR40N60C2 bez ochranné diody s maximálním napětím 600V a proudem 75A v pouzdru TO247 PLUS
Tranzistor IXGR40N60C2D1 s maximálním napětím 600V a proudem 75A v pouzdru TO247 PLUS
Tranzistor IKW15N120H3 od výrobce Infineon s maximálním napětím 1200V a proudem 30A v pouzdru TO247-3
Tranzistor IGW50N60H3 od výrobce Infineon s maximálním napětím 600V a proudem 50A v pouzdru TO247-3
Tranzistor IGW40N60H3 od výrobce Infineon s maximálním napětím 600V a proudem 80A v pouzdru TO247-3
Tranzistor IRG4PH40UPBF od výrobce Infineon s maximálním napětím 1200V a proudem 41A v pouzdru TO247
Tranzistor IRG4PC50WPBF od výrobce Infineon s maximálním napětím 600V a proudem 55A v pouzdru TO247
Tranzistor G25N120 s maximálním napětím 1200V a proudem 50A v pouzdru TO247
Tranzistor AOK20B135E1 od výrobce Alpha & Omega Semiconductor s maximálním napětím 1350V a proudem 20A v pouzdru TO247
Tranzistor FGPF4633 od výrobce ON Semiconductor s maximálním napětím 330V a proudem 300A v pouzdru TO220F
Tranzistor IRG4BC30WPBF od výrobce Infineon s maximálním napětím 600V a proudem 23A v pouzdru TO220AB
Tranzistor IRGB30B60KPBF od výrobce Infineon s maximálním napětím 600V a proudem 78A v pouzdru TO220
Tranzistor IRG4BC30UDPBF od výrobce Infineon s maximálním napětím 600V a proudem 23A v pouzdru TO220
Tranzistor IRG4BC20UDPBF od výrobce Infineon s maximálním napětím 600V a proudem 13A v pouzdru TO220
Tranzistor IRG4BC20SPBF od výrobce Infineon s maximálním napětím 600V a proudem 19A v pouzdru TO220
Tranzistor IRG4BC20KDPBF od výrobce Infineon s maximálním napětím 600V a proudem 16A v pouzdru TO220
Tranzistor IRG4BC20FDPBF od výrobce Infineon s maximálním napětím 600V a proudem 16A v pouzdru TO220