Nastavení
Výkonový N-MOSFET, pouzdro D2PAK Napětí UDS / proud ID: 55 V / 100 A Odpor v sepnutém stavu: 4,4 mΩ
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 30V a proudem 5,7A v pouzdru SOT23 od výrobce Alpha & Omega
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 60V a proudem 0,5A v pouzdru TO92 od výrobce ON Semiconductor
Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 30V a proudem 86A v pouzdru DPAK
Tranzistor BSS138 od výrobce Micro Commercial Components (MCC) s maximálním napětím 50V a proudem 0,22A v pouzdru SOT23
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 17A v pouzdru TO220AB od výrobce Infineon
Tranzistor BSS138W od výrobce Infineon s maximálním napětím 60V a proudem 0,28A v pouzdru SOT323
Unipolární tranzistor N-MOSFET s max. napětím 55V, proudem 98A a výkonem 150W v pouzdru TO220.
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 64A v pouzdru TO220AB od výrobce Infineon
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 40V a proudem 202A v pouzdru TO220AB od výrobce Thomson
Tranzistor N-MOSFET s max. napětím D-S 30V a proudem 160A v pouzdru DPAK
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 800V a proudem 2,5A v pouzdru TO220FP od výrobce STMicroelectronics
Výkonový N-MOSFET, pouzdro SOT23Napětí UDS / proud ID: 60 V / 1,2 A Odpor v sepnutém stavu: 480 mΩ
Tranzistor N-MOSFET s napětím 180V, proudem 10A a výkonem 120W v pouzdru TO3PN od výrobce Toshiba
Tranzistor N-MOSFET 2SK3567 od výrobce Toshiba s maximálním napětím 600V a proudem 3,5A v pouzdru TO220FP
Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 30V a proudem 10A v pouzdru SO8 od výrobce Alpha & Omega
Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 30V a proudem 12,7A v pouzdru SO8 od výrobce Alpha & Omega
Nacházíte se na straně 1 z 5.
