Unipolární tranzistory N-kanál

Tranzistor BF245A s maximálním napětím 30V a proudem 0,1A v pouzdru TO92 od výrobce ON Semiconductor

Tranzistor N-MOSFET s napětím 55V, proudem 80A a výkonem 300W v pouzdru TO-220-3 od výrobce STMicroelectronics

Tranzistor N-MOSFET s napětím 180V, proudem 10A a výkonem 120W v pouzdru TO3PN od výrobce Toshiba

Tranzistor N-MOSFET s napětím 60V a proudem 160A v pouzdru TO220 od výrobce International Rectifier

Tranzistor N-MOSFET s napětím 650V a proudem 68A v pouzdru TO247 od výrobce STMicroelectronics

Tranzistor STP75NF75 od výrobce STMicroelectronics s maximálním napětím 75V a proudem 80A v pouzdru TO220

Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 30V a proudem 5,7A v pouzdru SOT23 od výrobce Alpha & Omega

Unipolární tranzistor N-MOSFET s max. napětím 60V, proudem 50A a výkonem 110W v pouzdru TO220

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 43A v pouzdru D-PAK

Unipolární tranzistor N-MOSFET s max. napětím 650V, proudem 34A a výkonem 40W v pouzdru TO220FP od výrobce STMicroelectronics

Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 100V a proudem 42A v pouzdru TO247AC od výrobce Infineon Technologies

Tranzistor N-MOSFET s napětím 180V, proudem 2A a výkonem 30W v pouzdru TO-220AB od výrobce Hitachi

2x tranzistor s maximálním napětím 60V a proudem 2x 4,5A v pouzdru SO8 od výrobce Taiwan Semiconductor

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 600V a proudem 4A v pouzdru IPAK od výrobce STMicroelectronics

Tranzistor N-MOSFET 2SK3567 od výrobce Toshiba s maximálním napětím 600V a proudem 3,5A v pouzdru TO220FP

Tranzistor N-JFET BF256B s maximálním napětím 30V a proudem 0,013A v pouzdru TO92 od výrobce ONSEMI.

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 64A v pouzdru TO220AB od výrobce Infineon

Tranzistor N-MOSFET s napětím 180V, proudem 2A a výkonem 30W v pouzdru TO-220AB od výrobce Hitachi

Tranzistor IXFX100N65X2 od výrobce IXYS s maximálním napětím 650V a proudem 100A v pouzdru TO247PLUS