Unipolární tranzistory N-kanál

Tranzistor N-MOSFET s napětím 650V a proudem 68A v pouzdru TO247 od výrobce STMicroelectronics

Tranzistor N-MOSFET s napětím 180V, proudem 2A a výkonem 30W v pouzdru TO-220AB od výrobce Hitachi

Tranzistor N-MOSFET s napětím 180V, proudem 2A a výkonem 30W v pouzdru TO-220AB od výrobce Hitachi

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 40V a proudem 250A v pouzdru D2PAK od výrobce Infineon

Tranzistor N-MOSFET s napětím 600V, proudem 20A a výkonem 150W v pouzdru TO3PN od výrobce Toshiba

Tranzistor N-JFET BF256B s maximálním napětím 30V a proudem 0,013A v pouzdru TO92 od výrobce ON Semiconductor

Unipolární tranzistor N-MOSFET s max. napětím 55V, proudem 98A a výkonem 150W v pouzdru TO220.

Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 100V a proudem 120A v pouzdru TO220 od výrobce Infineon

Tranzistor N-MOSFET IPD031N06L3 s maximálním napětím 60V a proudem 100A v pouzdru DPAK od výrobce Infineon

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 650V a proudem 17,5A v pouzdru TO220FP od výrobce Infineon

Tranzistor N-MOSFET s napětím 55V, proudem 175A a výkonem 330W v pouzdru TO-220AB od výrobce Infineon

Tranzistor BF245A s maximálním napětím 30V a proudem 0,1A v pouzdru TO92 od výrobce ON Semiconductor

Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 200V a proudem 30A v pouzdru TO247AC od výrobce Infineon Technologies

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 400V a proudem 23A v pouzdru TO247AC od výrobce Vishay

Tranzistor N-MOSFET s napětím 60V a proudem 120A v pouzdru TO220 od výrobce International Rectifier

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 400V a proudem 10A v pouzdru D2PAK od výrobce Vishay