Nastavení
Tranzistor s maximálním napětím 20V a proudem 2x 6,5A v pouzdru SO8 od výrobce ONSEMI.
Tranzistor N-MOSFET IPD031N06L3 s maximálním napětím 60V a proudem 100A v pouzdru DPAK od výrobce Infineon
Tranzistor P-MOSFET dvojitý s napětím 30V, proudem 4,9A a výkonem 2W v pouzdru SO8 od výrobce Infineon
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 400V a proudem 10A v pouzdru D2PAK od výrobce Vishay
Tranzistor N-JFET s maximálním napětím 35V a proudem 0,05A v pouzdru SOT23 od výrobce ON Semiconductor
Tranzistor TK8P60W,RVQ od výrobce Toshiba s maximálním napětím 600V a proudem 8A v pouzdru DPAK
Nacházíte se na straně 3 z 3.
