Nastavení
Nová registraceZapomenuté heslo
Tranzistor N-MOSFET s napětím 30V, proudem 8,5A a výkonem 2,5W v pouzdru SO8 od výrobce ON Semiconductor
Tranzistor FQD18N20V2TM od výrobce ON Semiconductor s maximálním napětím 200V a proudem 15A v pouzdru DPAK
Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 100V a proudem 17A v pouzdru D2PAK od výrobce Infineon
Tranzistor P-mosfet s maximálním napětím 60V a proudem 18A v pouzdru TO263 od výrobce Vishay
Tranzistor IRFR5305TRPBF od výrobce Infineon s maximálním napětím 55V a proudem 28A v pouzdru DPAK
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 60V a proudem 295A v pouzdru D2PAK od výrobce Infineon
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 28A v pouzdru DPAK od výrobce Infineon
Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 150V a proudem 110A v pouzdru D2PAK od výrobce IXYS
Tranzistor NTD24N06LG s maximálním napětím 60V a proudem 24A v pouzdru DPAK
Tranzistor P-mosfet s maximálním napětím 60V a proudem 14A v pouzdru WDFN-8 od výrobce Vishay
Dvojitý tranzistor N-mosfet + P-mosfet s maximálním napětím 20/-20V a proudem 5,3/-4,5A v pouzdru DFN2020-6 od výrobce Nexperia
Tranzistor P-MOSFET s napětím 30V, proudem 29A a výkonem 7,8W v pouzdru SO8 od výrobce Vishay
Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 150V a proudem 3,7A v pouzdru SO8 od výrobce Vishay
Tranzistor SI9435BDY-E3 od výrobce Vishay s maximálním napětím 30V a proudem 4,1A v pouzdru SO8
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 100V a proudem 15A v pouzdru DPAK od výrobce Sinopower
Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 30V a proudem 50A v pouzdru DFN5X6A od výrobce Sinopower
Dvojitý tranzistor s maximálním napětím 60V a proudem 2x 4,5A v pouzdru SO8 od výrobce Taiwan Semiconductor
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 60V a proudem 170A v pouzdru TO263 (D2PAK) od výrobce Texas Instruments
Tranzistor s maximálním napětím 20V a proudem 2x 6,5A v pouzdru SO8 od výrobce ONSEMI.
Nacházíte se na straně 2 z 3.
