Tranzistor STP75NF75 od výrobce STMicroelectronics s maximálním napětím 75V a proudem 80A v pouzdru TO220
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 43A v pouzdru D-PAK
Tranzistor N-MOSFET s napětím 650V a proudem 68A v pouzdru TO247 od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor STW11NK100Z od výrobce STMicroelectronics s maximálním napětím 1000V a proudem 8,3A v pouzdru TO247
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 64A v pouzdru TO220AB od výrobce Infineon
Tranzistor N-MOSFET s napětím 60V a proudem 120A v pouzdru TO220 od výrobce International Rectifier
Tranzistor STP34NM60N s maximálním napětím 600V a proudem 31,5A v pouzdru TO220-3 od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 200V a proudem 20A v pouzdru TO247AC od výrobce Vishay
Tranzistor P-mosfet s maximálním napětím 200V a proudem 12A v pouzdru TO247 od výrobce Vishay
Unipolární tranzistor N-MOSFET s max. napětím 55V, proudem 98A a výkonem 150W v pouzdru TO220.
Tranzistor N-MOSFET s napětím 55V, proudem 80A a výkonem 300W v pouzdru TO-220-3 od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor BF245A s maximálním napětím 30V a proudem 0,1A v pouzdru TO92 od výrobce ON Semiconductor
Tranzistor TK8P60W,RVQ od výrobce Toshiba s maximálním napětím 600V a proudem 8A v pouzdru DPAK
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 100V a proudem 42A v pouzdru TO247AC od výrobce Infineon Technologies
Tranzistor IRFR5305TRPBF od výrobce Infineon s maximálním napětím 55V a proudem 28A v pouzdru DPAK
Tranzistor N-MOSFET s napětím 180V, proudem 10A a výkonem 120W v pouzdru TO3PN od výrobce Toshiba
Tranzistor IRF9640PBF od výrobce Vishay s maximálním napětím 200V a proudem 6,8A v pouzdru TO220AB
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 600V a proudem 20,7A v pouzdru TO220AB od výrobce Infineon
Unipolární tranzistor N-MOSFET s max. napětím 650V, proudem 13A a výkonem 110W v pouzdru TO220
Nastavení
