Tranzistor BSS123
Kód: 101040022Detailní popis produktu
ON Semiconductor BSS123L
Tranzistor N-MOSFET; unipolární; max. napětí Drain-Source 100V; max. napětí Gate-Source ±20V; max. proud Drainu 0,17A; max. ztrátový výkon 0,36W; odpor v sepnutém stavu 6Ω; náboj hradla 2,5nC; pouzdro SOT23; SMD montáž na DPS; pracovní teplota -55÷150°C.
Buďte první, kdo napíše příspěvek k této položce.
Pouze registrovaní uživatelé mohou vkládat články. Prosím přihlaste se nebo registrujte.