Nastavení
Tranzistor germániový v pouzdru TO3 Maximální napětí: 48V Maximální proud: 1,5A
Bipolární tranzistor NPN, pouzdro TO-92 Napětí kolektor-emitor: 45 V Proud kolektoru: 100 mA
Bipolární tranzistor PNP; UCE 50V; IC 100mA; výkon 0,5W; pouzdro TO92.
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 30V a proudem 5,7A v pouzdru SOT23 od výrobce Alpha & Omega
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 60V a proudem 0,5A v pouzdru TO92 od výrobce ON Semiconductor
Tranzistor BD911 od výrobce STMicroelectronics s maximálním napětím 100V a proudem 15A v pouzdru TO220
Výkonový N-MOSFET, pouzdro D2PAK Napětí UDS / proud ID: 55 V / 100 A Odpor v sepnutém stavu: 4,4 mΩ
Bipolární tranzistor PNP; UCE 45V; IC 100mA; výkon 0,5W; pouzdro TO92.
Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 30V a proudem 86A v pouzdru DPAK
Tranzistor PNP s maximálním napětím 50V a proudem 0,15A v pouzdru TO92 od výrobce ON Semiconductor
Tranzistor bipolární PNP Uceo/Ic: 45V/0.5A Pd: 300mW Pouzdro: SOT23
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 17A v pouzdru TO220AB od výrobce Infineon
Nacházíte se na straně 1 z 15.