IRLML2060TRPBF tranzistor N-MOSFET

Kód: 101040628
8,50 Kč / ks 7 Kč bez DPH 8,50 Kč / 1 ks
Skladem (788 ks)

Výkonový N-MOSFET, pouzdro SOT23
Napětí UDS / proud ID: 60 V / 1,2 A 
Odpor v sepnutém stavu: 480 mΩ

Detailní informace

Detailní popis produktu

Infineon Technologies (IRF) IRLML2060TRPBF

Tranzistor N-MOSFET; HEXFET; unipolární; max. napětí Drain-Source 60V; max. napětí Gate-Source ±16V; max. proud Drainu 1,2A; max. ztrátový výkon 1,25W; odpor v sepnutém stavu 0,048Ω; max. náboj hradla 0,67nC; pouzdro SOT23; SMD montáž na DPS; pracovní teplota -55÷150°C.

Doplňkové parametry

Kategorie: Unipolární tranzistory N-kanál
Pracovní napětí (V): 60
Pracovní proud (A): 1,2
Výkon (W): 1,25
Pouzdro: SOT-23
Montáž: SMD
max. napětí Gate (V): ±16