Aktivní součástky (polovodiče)

Patice DIP08 s roztečí mezi řadami 7,62 mm vhodná pro integrované obvody

Schottkyho dioda 1N5711 (THT) s maximálním napětím 70V

Nejpoužívanější usměrňovací dioda 1N4007 s maximálním napětím 1kV

Nejpoužívanější univerzální dioda 1N4148 s maximálním napětím 100V

Zenerova dioda BZX85C s napětím 5,1V a max. výkonem 1,3W

Tranzistor BF245A od výrobce ON Semiconductor s maximálním napětím 30V a proudem 0,1A v pouzdru TO92

Tranzistor IRLL014TRPBF od výrobce Vishay s maximálním napětím 60V a proudem 2,7A v pouzdru SOT223

Nejpoužívanější univerzální dioda LL4148 v pouzdru MiniMELF s maximálním napětím 100V

Tranzistor SS8050CBU od výrobce ON Semiconductor s maximálním napětím 40V a proudem 1,5A v pouzdru TO92

Tranzistor BC547C od výrobce Diotec Semiconductor s maximálním napětím 45V a proudem 0,1A v pouzdru TO92

Spínací rychlá dioda BAV21 s maximálním napětím 250V

Usměrňovací dioda 1N5408 s maximálním napětím 1kV

Tranzistor KC509 od výrobce Tesla s maximálním napětím 20V a proudem 0,1A v pouzdru TO18

Časovač NE555P od výrobce Texas Instruments v pouzdře DIP8

Tranzistor KF517 od výrobce Tesla s maximálním napětím 30V a proudem 0,6A v pouzdru TO39

Zenerova dioda BZX55C s napětím 3,3V a max. výkonem 0,5W

Zenerova dioda 1N53 s napětím 5,1V a max. výkonem 5W

Tranzistor KC147 od výrobce Tesla s maximálním napětím 45V a proudem 0,1A v pouzdru T28

Tranzistor KFY18 od výrobce Tesla s maximálním napětím 75V a proudem 0,6A v pouzdru TO39

Tranzistor KC148 od výrobce Tesla s maximálním napětím 20V a proudem 0,1A v pouzdru T28

Zenerova dioda BZV55C s napětím 5,1V a max. výkonem 0,5W

Tranzistor SSM3K333R od výrobce Toshiba s maximálním napětím 30V a proudem 6A v pouzdru SOT23F

Operační zesilovač; 2 kanály; ±18V; LP; DIP8; THT.

Tranzistor 2N3904 od výrobce Diotec Semiconductor s maximálním napětím 40V a proudem 0,2A v pouzdru TO92

Tranzistor KF507 od výrobce Tesla s maximálním napětím 32V a proudem 0,5A v pouzdru TO39

Schottkyho dioda 1N5817 s maximálním napětím 20V