Tranzistor BSP125
Kód: 101040021Detailní popis produktu
Infineon Technologies BSP125H6327XTSA1
Tranzistor N-MOSFET; unipolární; max. napětí Drain-Source 600V; max. napětí Gate-Source ±20V; max. proud Drainu 0,12A; max. ztrátový výkon 1,8W; odpor v sepnutém stavu 45Ω; pouzdro SOT223; SMD montáž na DPS; pracovní teplota -55÷150°C.
Buďte první, kdo napíše příspěvek k této položce.
Pouze registrovaní uživatelé mohou vkládat články. Prosím přihlaste se nebo registrujte.