VÁNOČNÍ OZNÁMENÍ: Naše provozovna v Liberci bude uzavřena od 18.12.2023 do 7.1.2024. E-shop bude fungovat s výjimkou dnů od 23.12.2023 do 2.1.2024.
Děkujeme za vaši podporu a přejeme vám radostné Vánoce!

Tranzistor IPB100N06S2L05ATMA2 D2PAK

Kód: 101040587
Novinka
129 Kč / ks 106,60 Kč bez DPH
Skladem u nás (>999 ks)

Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 55V a proudem 100A v pouzdru D2PAK od výrobce Infineon

Detailní informace

Detailní popis produktu

Infineon (IRF) IPB100N06S2L05ATMA2

Tranzistor N-MOSFET; OptiMOS; unipolární; max. napětí Drain-Source 55V; max. napětí Gate-Source ±20V; max. proud Drainu 100A; max. ztrátový výkon 300W; odpor v sepnutém stavu 0,0044Ω; max. náboj hradla 230nC; pouzdro D2PAK; SMD montáž na DPS; pracovní teplota -55÷175°C.

Výhody

  • Certifikace pro automobilový průmysl AEC Q101
  • Velmi vysoký proud až 100A
  • Velmi nízký odpor v sepnutém stavu

Doplňkové parametry

Kategorie: Unipolární tranzistory N-kanál
Pracovní napětí (V): 55
Pracovní proud (A): 100
Výkon (W): 300
Pouzdro: D2PAK
Montáž: SMD
max. napětí Gate (V): ±20

Buďte první, kdo napíše příspěvek k této položce.

Pouze registrovaní uživatelé mohou vkládat články. Prosím přihlaste se nebo registrujte.

Nevyplňujte toto pole: