Unipolární tranzistory, Strana 2

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 800V a proudem 2,5A v pouzdru TO220FP od výrobce STMicroelectronics

Unipolární tranzistor N-MOSFET s max. napětím 800V, proudem 14A a výkonem 170W v pouzdru TO220

Výkonový N-MOSFET, pouzdro D2PAK 
Napětí U_DS / proud I_D: 55 V / 100 A 
Odpor v sepnutém stavu: 4,4 mΩ

Unipolární tranzistor, N kanál, SMD, 55V, 2A, 2,1W, SOT223

Výkonový N-MOSFET, pouzdro SOT23
Napětí U_DS / proud I_D: 60 V / 1,2 A 
Odpor v sepnutém stavu: 480 mΩ

Tranzistor N-MOSFET s napětím 180V, proudem 10A a výkonem 120W v pouzdru TO3PN od výrobce Toshiba

Tranzistor N-MOSFET 2SK3567 od výrobce Toshiba s maximálním napětím 600V a proudem 3,5A v pouzdru TO220FP

Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 30V a proudem 10A v pouzdru SO8 od výrobce Alpha & Omega

Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 30V a proudem 12,7A v pouzdru SO8 od výrobce Alpha & Omega

Tranzistor N-MOSFET s napětím 30V, proudem 6A a výkonem 1,28W v pouzdru TSOP6 od výrobce Alpha & Omega Semiconductor

Tranzistor P-mosfet s maximálním napětím 30V a proudem 18A v pouzdru TO252 od výrobce Alpha & Omega

Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 500V a proudem 5A v pouzdru TO252 od výrobce Alpha & Omega

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 40V a proudem 250A v pouzdru D2PAK od výrobce Infineon

Tranzistor BSP125 od výrobce Infineon s maximálním napětím 600V a proudem 0,12A v pouzdru SOT223

Tranzistor BSS123 v pouzdru SOT23 s maximálním napětím 100V a proudem 0,17A 

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 100V a proudem 0,17A v pouzdru SOT23 od výrobce Diodes Incorporated

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 600V a proudem 0,021A v pouzdru SOT23 od výrobce Infineon

Tranzistor BSS138W od výrobce Infineon s maximálním napětím 60V a proudem 0,28A v pouzdru SOT323

Tranzistor N-MOSFET s napětím 30V, proudem 8,5A a výkonem 2,5W v pouzdru SO8 od výrobce ON Semiconductor

Tranzistor FQD18N20V2TM od výrobce ON Semiconductor s maximálním napětím 200V a proudem 15A v pouzdru DPAK