Unipolární tranzistory, Strana 3

Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 60V a proudem 84A v pouzdru TO220AB od výrobce Infineon

Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 40V a proudem 202A v pouzdru TO220AB od výrobce Thomson

Tranzistor IRF3205SPBF od výrobce International Rectifier s maximálním napětím 55V a proudem 110A v pouzdru D2PAK

Tranzistor P-MOSFET IRF5210PBF od výrobce Infineon s maximálním napětím 100V a proudem 40A v pouzdru TO220AB

Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 100V a proudem 17A v pouzdru D2PAK od výrobce Infineon

Tranzistor P-MOSFET dvojitý s napětím 30V, proudem 4,9A a výkonem 2W v pouzdru SO8 od výrobce Infineon

Tranzistor P-MOSFET s maximálním napětím 200V a proudem 4A v pouzdru TO220AB od výrobce Vishay

Tranzistor IRF9640PBF od výrobce Vishay s maximálním napětím 200V a proudem 6,8A v pouzdru TO220AB

Tranzistor P-mosfet s maximálním napětím 60V a proudem 18A v pouzdru TO263 od výrobce Vishay

Tranzistor N-MOSFET s napětím 60V a proudem 120A v pouzdru TO220 od výrobce International Rectifier

Tranzistor N-MOSFET s napětím 60V a proudem 160A v pouzdru TO220 od výrobce International Rectifier

Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 100V a proudem 120A v pouzdru TO220 od výrobce Infineon

Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 40V a proudem 172A v pouzdru TO220 od výrobce Infineon

Tranzistor P-MOSFET s napětím 250V, proudem 2,6A a výkonem 35W v pouzdru TO220FP od výrobce Vishay

Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 100V a proudem 42A v pouzdru TO247AC od výrobce Infineon Technologies

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 300V a proudem 70A v pouzdru TO247AC od výrobce Infineon Technologies

Tranzistor P-MOSFET s maximálním napětím 100V a proudem 21A v pouzdru TO247AC od výrobce Infineon Technologies