Tranzistor HGTG30N60B3 TO247

Kód: 101040551
159 Kč / ks 131,40 Kč bez DPH
Skladem u nás (18 ks)
Možnosti doručení

Tranzistor IGBT s maximálním napětím 1200V a proudem 30A v pouzdru TO247.

Detailní informace

Detailní popis produktu

ON Semiconductor HGTG30N60B3

Tranzistor IGBT (napětím řízený bipolární tranzistor); bipolární; max. napětí Kolektor-Emitor 1200V; max. napětí Gate-Emitor ±20V; max. proud Kolektoru 30A (60A při 25°C); max. ztrátový výkon 208W; pouzdro TO247; THT montáž do DPS; pracovní teplota -55÷150°C.

Doplňkové parametry

Kategorie: IGBT tranzistory
Pracovní napětí (V): 1200
Pracovní proud (A): 30
Výkon (W): 208
Pouzdro: TO247
Montáž: THT
max. napětí Gate (V): ±20

Buďte první, kdo napíše příspěvek k této položce.

Pouze registrovaní uživatelé mohou vkládat články. Prosím přihlaste se nebo registrujte.

Nevyplňujte toto pole: