Tranzistor IGW50N60H3

Kód: 101040101
125 Kč 103,30 Kč bez DPH
Na objednávku
Tranzistor IGW50N60H3 od výrobce Infineon s maximálním napětím 600V a proudem 50A v pouzdru TO247-3

Detailní informace

Detailní popis produktu

Infineon Technologies IGW50N60H3

Tranzistor IGBT (napětím řízený bipolární tranzistor); bipolární; max. napětí Kolektor-Emitor 600V; max. napětí Gate-Emitor ±20V; max. proud Kolektoru 50A; max. ztrátový výkon 333W; pouzdro TO247-3; THT montáž do DPS; pracovní teplota -55÷150°C.

Doplňkové parametry

Kategorie: IGBT tranzistory
Pracovní napětí (V): 600
Pracovní proud (A): 50
Výkon (W): 333
Pouzdro: TO247-3
Montáž: THT
max. napětí Gate (V): ±20

Buďte první, kdo napíše příspěvek k této položce.

Pouze registrovaní uživatelé mohou vkládat články. Prosím přihlaste se nebo registrujte.

Nevyplňujte toto pole: