Tranzistor IHW40N60RF

Kód: 101040108
129 Kč / ks 106,60 Kč bez DPH
Skladem (5 ks)
Tranzistor IHW40N60RF od výrobce Infineon s maximálním napětím 600V a proudem 80A v pouzdru TO247-3

Detailní informace

Detailní popis produktu

Infineon Technologies IHW40N60RF (H40RF60)

Tranzistor IGBT (napětím řízený bipolární tranzistor); bipolární; max. napětí Kolektor-Emitor 600V; max. napětí Gate-Emitor ±20V; max. proud Kolektoru 80A; max. ztrátový výkon 305W; pouzdro TO247-3; THT montáž do DPS; pracovní teplota -55÷175°C.

Výhody

  • Paralelní dioda s nízkým úbytkem napětí
  • Nízké EMI
  • Nízké saturační napětí
  • Pracovní teplota až 175°C

Doplňkové parametry

Kategorie: IGBT tranzistory
Pracovní napětí (V): 600
Pracovní proud (A): 80
Výkon (W): 305
Pouzdro: TO247-3
Montáž: THT
max. napětí Gate (V): ±20

Buďte první, kdo napíše příspěvek k této položce.

Pouze registrovaní uživatelé mohou vkládat články. Prosím přihlaste se nebo registrujte.

Nevyplňujte toto pole: