Tranzistor FGL60N100BNTD

Kód: 101040577
449 Kč / ks 371,10 Kč bez DPH
Skladem u nás (10 ks)
Možnosti doručení

Tranzistor IGBT s maximálním napětím 1000V a proudem 60A v pouzdru TO264 od výrobce ON Semiconductor

Detailní informace

Detailní popis produktu

ON Semiconductor FGL60N100BNTD

Tranzistor IGBT (napětím řízený bipolární tranzistor); bipolární; max. napětí Kolektor-Emitor 1000V; max. napětí Gate-Emitor ±25V; max. proud Kolektoru 60A; max. ztrátový výkon 180W; pouzdro TO264; THT montáž do DPS; pracovní teplota -55÷150°C.

Doplňkové parametry

Kategorie: IGBT tranzistory
Pracovní napětí (V): 1000
Pracovní proud (A): 60
Výkon (W): 180
Pouzdro: TO264
Montáž: THT
max. napětí Gate (V): ±25

Buďte první, kdo napíše příspěvek k této položce.

Pouze registrovaní uživatelé mohou vkládat články. Prosím přihlaste se nebo registrujte.

Nevyplňujte toto pole: