Tranzistor IGB10N60T D2PAK

Kód: 101040592
39 Kč / ks 32,20 Kč bez DPH
Skladem u nás (7 ks)
Možnosti doručení

Tranzistor IGBT s napětím do 600V a proudem do 10A v pouzdru D2PAK

Detailní informace

Detailní popis produktu

Infineon IGB10N60T

Tranzistor IGBT (napětím řízený bipolární tranzistor); bipolární; max. napětí Kolektor-Emitor 600V; max. napětí Gate-Emitor ±20V; max. proud Kolektoru 10A; max. ztrátový výkon 110W; pouzdro D2PAK; SMD montáž do DPS; pracovní teplota -40÷175°C.

Doplňkové parametry

Kategorie: IGBT tranzistory
Pracovní napětí (V): 600
Pracovní proud (A): 10
Výkon (W): 110
Pouzdro: D2PAK
Montáž: SMD
max. napětí Gate (V): ±20

Buďte první, kdo napíše příspěvek k této položce.

Pouze registrovaní uživatelé mohou vkládat články. Prosím přihlaste se nebo registrujte.

Nevyplňujte toto pole: