Tranzistor HGTG20N60A4D

Kód: 101040446
85 Kč / ks 70,20 Kč bez DPH
Skladem (10 ks)
Tranzistor HGTG20N60A4D od výrobce ON Semiconductor s maximálním napětím 600V a proudem 20A v pouzdru TO247

Detailní informace

Detailní popis produktu

ON Semiconductor HGTG20N60A4D

Tranzistor IGBT (napětím řízený bipolární tranzistor); bipolární; max. napětí Kolektor-Emitor 600V; max. napětí Gate-Emitor ±20V; max. proud Kolektoru 20A; max. ztrátový výkon 290W; pouzdro TO247; THT montáž do DPS; pracovní teplota -55÷150°C.

Doplňkové parametry

Kategorie: IGBT tranzistory
Pracovní napětí (V): 600
Pracovní proud (A): 20
Výkon (W): 290
Pouzdro: TO247
Montáž: THT
max. napětí Gate (V): ±20

Buďte první, kdo napíše příspěvek k této položce.

Pouze registrovaní uživatelé mohou vkládat články. Prosím přihlaste se nebo registrujte.

Nevyplňujte toto pole: