Nastavení
Nová registraceZapomenuté heslo
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 17A v pouzdru TO220AB od výrobce Infineon
Výkonový N-MOSFET, pouzdro SOT23Napětí UDS / proud ID: 60 V / 1,2 A Odpor v sepnutém stavu: 480 mΩ
Lineární stabilizátor napětí LDO s pevným výstupním napětím 5V a výstupním proudem až 0,6A v pouzdru TO-263-5 pro povrchovou montáž (SMD)
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 40V a proudem 250A v pouzdru D2PAK od výrobce Infineon
Tranzistor NPN Darlington s maximálním napětím 60V a proudem 0,5A v pouzdru SOT23 od výrobce Infineon
Tranzistor BSP125 od výrobce Infineon s maximálním napětím 600V a proudem 0,12A v pouzdru SOT223
Tranzistor BSS123 v pouzdru SOT23 s maximálním napětím 100V a proudem 0,17A
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 600V a proudem 0,021A v pouzdru SOT23 od výrobce Infineon
Tranzistor BSS138W od výrobce Infineon s maximálním napětím 60V a proudem 0,28A v pouzdru SOT323
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 650V a proudem 17,5A v pouzdru TO220FP od výrobce Infineon
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 60V a proudem 84A v pouzdru TO220AB od výrobce Infineon
Tranzistor P-MOSFET IRF5210PBF od výrobce Infineon s maximálním napětím 100V a proudem 40A v pouzdru TO220AB
Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 100V a proudem 17A v pouzdru D2PAK od výrobce Infineon
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 100V a proudem 120A v pouzdru TO220 od výrobce Infineon
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 40V a proudem 172A v pouzdru TO220 od výrobce Infineon
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 100V a proudem 42A v pouzdru TO247AC od výrobce Infineon Technologies
Nacházíte se na straně 2 z 5.
