Infineon Technologies, Strana 2

Integrovaný obvod; číslicový; CMOS; 3× 2-kanálový analogový multiplexor/demultiplexor; DIP16; THT.

Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 55V a proudem 100A v pouzdru D2PAK od výrobce Infineon

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 600V a proudem 0,021A v pouzdru SOT23 od výrobce Infineon

Paměť SRAM s velikostí paměti 128 x 8 bit v pouzdru VFBGA-48 od výrobce Infineon

Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 100V a proudem 17A v pouzdru D2PAK od výrobce Infineon

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 17A v pouzdru IPAK od výrobce Infineon Technologies

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 60V a proudem 295A v pouzdru D2PAK od výrobce Infineon

Tranzistor IGBT K40T1202 s maximálním napětím 1200V a proudem 75A v pouzdru TO247-3 od výrobce Infineon

Tranzistor N-MOSFET s napětím 55V, proudem 175A a výkonem 330W v pouzdru TO-220AB od výrobce Infineon

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 64A v pouzdru TO220AB od výrobce Infineon

Tranzistor P-MOSFET s maximálním napětím 100V a proudem 23A v pouzdru TO247AC od výrobce Infineon Technologies

Tranzistor P-MOSFET s maximálním napětím 100V a proudem 21A v pouzdru TO247AC od výrobce Infineon Technologies

Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 100V a proudem 42A v pouzdru TO247AC od výrobce Infineon Technologies

Tranzistor IGBT IHW30N160R2 (H30R1602) s maximálním napětím 1600V a proudem 30A v pouzdru TO247-3 od výrobce Infineon

Tranzistor P-MOSFET IRF5210PBF od výrobce Infineon s maximálním napětím 100V a proudem 40A v pouzdru TO220AB

Integrovaný obvod IRS2103SPBF pro řízení H/2 můstku (push-pull)