Infineon Technologies

Výkonový N-MOSFET, pouzdro D2PAK 
Napětí U_DS / proud I_D: 55 V / 100 A 
Odpor v sepnutém stavu: 4,4 mΩ

Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 30V a proudem 86A v pouzdru DPAK

Tranzistor P-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 31A v pouzdru DPAK od výrobce Infineon

Tranzistor IHW15N120R3 (H15R1203) od výrobce Infineon s maximálním napětím 1200V a proudem 30A v pouzdru TO247-3

Unipolární tranzistor N-MOSFET s max. napětím 55V, proudem 98A a výkonem 150W v pouzdru TO220.

Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 100V a proudem 42A v pouzdru TO247AC od výrobce Infineon Technologies

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 60V a proudem 295A v pouzdru D2PAK od výrobce Infineon

Tranzistor BSS123 v pouzdru SOT23 s maximálním napětím 100V a proudem 0,17A 

Hallova sonda; unipolární; 5÷18mT; 3,8÷24V DC; P-SSO-3-2; THT.

Tranzistor IHW20N120R3 (H20R1203) od výrobce Infineon s maximálním napětím 1200V a proudem 40A v pouzdru TO247

Tranzistor N-MOSFET s napětím 60V a proudem 160A v pouzdru TO220 od výrobce International Rectifier

Tranzistor N-MOSFET s napětím 40V, proudem 250A a výkonem 230W v pouzdru TO-220AB od výrobce Infineon

Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 40V a proudem 172A v pouzdru TO220 od výrobce Infineon

Intagrovaný polomůstek pro high-/low-side switch s max. napětím 600V

Tranzistor IRFB3006PBF od výrobce Infineon Technologies s maximálním napětím 60V a proudem 195A v pouzdru TO220

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 17A v pouzdru IPAK od výrobce Infineon Technologies

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 600V a proudem 20,7A v pouzdru TO220AB od výrobce Infineon

Paměť SRAM s velikostí paměti 128 x 8 bit v pouzdru VFBGA-48 od výrobce Infineon

SMPS kontrolér s max. napětím 650V a soft-start / auto-restart módem od výrobce Infineon

Měnič AC/DC; kontrolér SMPS; 9,95A; 71W; DIP8; THT.