Nastavení
Výkonový N-MOSFET, pouzdro D2PAK Napětí UDS / proud ID: 55 V / 100 A Odpor v sepnutém stavu: 4,4 mΩ
Infineon IR2101STRPBF high a low side driver
Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 30V a proudem 86A v pouzdru DPAK
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 17A v pouzdru TO220AB od výrobce Infineon
Tranzistor P-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 31A v pouzdru DPAK od výrobce Infineon
Tranzistor BSS138W od výrobce Infineon s maximálním napětím 60V a proudem 0,28A v pouzdru SOT323
Unipolární tranzistor N-MOSFET s max. napětím 55V, proudem 98A a výkonem 150W v pouzdru TO220.
Tranzistor IHW20N120R3 (H20R1203) od výrobce Infineon s maximálním napětím 1200V a proudem 40A v pouzdru TO247
Hallova sonda; unipolární; 5÷18mT; 3,8÷24V DC; P-SSO-3-2; THT.
Tranzistor IGBT IKW15N120H3 s maximálním napětím 600V a proudem 40A v pouzdru TO247-3 od výrobce Infineon
Tranzistor N-MOSFET s max. napětím D-S 30V a proudem 160A v pouzdru DPAK
Paměť SRAM s velikostí paměti 128 x 8 bit v pouzdru VFBGA-48 od výrobce Infineon
Měnič AC/DC; kontrolér SMPS; 9,95A; 71W; DIP8; THT.
Integrovaný obvod IRS2103SPBF pro řízení H/2 můstku (push-pull)
Infineon IR2011PBF high a low side N-MOSFET driver s max. napětím 200V
Infineon IR2011SPBF high a low side N-MOSFET driver s max. napětím 200V
Infineon IR2102SPBF high a low side driver
High a low side N-MOSFET driver s max. napětím 600V a proudem 0,42A
Intagrovaný polomůstek pro high-/low-side switch s max. napětím 600V
Výkonový N-MOSFET, pouzdro SOT23Napětí UDS / proud ID: 60 V / 1,2 A Odpor v sepnutém stavu: 480 mΩ
Nacházíte se na straně 1 z 5.
