Infineon Technologies
Doporučujeme
Tranzistor IHW15N120R3 (H15R1203) od výrobce Infineon s maximálním napětím 1200V a proudem 30A v pouzdru TO247-3
Kód: 101040117
Tranzistor IRFB3607PBF od výrobce Infineon s maximálním napětím 75V a proudem 80A v pouzdru TO220AB
Kód: 101040005
Tranzistor IRLZ44NPBF od výrobce Infineon s maximálním napětím 55V a proudem 41A v pouzdru TO220AB
Kód: 101040069
Tranzistor SMBTA92 od výrobce Infineon s maximálním napětím 300V a proudem 0,5A v pouzdru SOT23
Kód: 101040411
Tranzistor N-MOSFET s max. napětím D-S 30V a proudem 160A v pouzdru DPAK
Kód: 101040068
Kód: 101040093
Tranzistor IRF640NPBF od výrobce Infineon s maximálním napětím 200V a proudem 18A v pouzdru TO220AB
Kód: 101040046
Tranzistor IHW20N120R3 (H20R1203) od výrobce Infineon s maximálním napětím 1200V a proudem 40A v pouzdru TO247
Kód: 101040448
Tranzistor IRFZ44NPBF od výrobce Infineon s maximálním napětím 55V a proudem 41A v pouzdru TO220AB
Kód: 101040059
Tranzistor IRG4BC20SPBF od výrobce Infineon s maximálním napětím 600V a proudem 19A v pouzdru TO220
Kód: 101040111
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 64A v pouzdru TO220AB od výrobce Infineon
Kód: 101040543
Tranzistor N-MOSFET IPD031N06L3 s maximálním napětím 60V a proudem 100A v pouzdru DPAK od výrobce Infineon
Kód: 101040524
Tranzistor IRF540NPBF od výrobce Infineon s maximálním napětím 100V a proudem 33A v pouzdru TO220AB
Kód: 101040044
Tranzistor IRFP064N od výrobce Infineon s maximálním napětím 55V a proudem 98A v pouzdru TO247AC
Kód: 101040053
Tranzistor IGW50N60H3 od výrobce Infineon s maximálním napětím 600V a proudem 50A v pouzdru TO247-3
Kód: 101040101
Tranzistor IRF520NPBF od výrobce Infineon s maximálním napětím 100V a proudem 9,7A v pouzdru TO220AB
Kód: 101040040
Tranzistor IRF4905PBF od výrobce Infineon s maximálním napětím 55V a proudem 75A v pouzdru TO220AB
Kód: 101040089
Tranzistor BSS123 v pouzdru SOT23 s maximálním napětím 100V a proudem 0,17A
Kód: 101040022
Výprodej
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 1200V a proudem 32A v pouzdru TO220 od Infineon
Kód: 101040565
Tranzistor P-MOSFET s maximálním napětím 100V a proudem 21A v pouzdru TO247AC od výrobce Infineon Technologies
Kód: 101040540
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 200V a proudem 30A v pouzdru TO247AC od výrobce Infineon Technologies
Kód: 101040527
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 43A v pouzdru D-PAK
Kód: 101040494
Hallova sonda; unipolární; 5÷18mT; 3,8÷24V DC; P-SSO-3-2; THT.
Kód: 113060011
Tranzistor IGW40N60H3 od výrobce Infineon s maximálním napětím 600V a proudem 80A v pouzdru TO247-3
Kód: 101040107
Tranzistor IRF510PBF od výrobce Infineon s maximálním napětím 100V a proudem 4A v pouzdru TO220AB
Kód: 101040039
INFINEON (IRF) ICE3BR0665J
Kód: 101030311
Intagrovaný polomůstek pro high-/low-side switch s max. napětím 600V
Kód: 101030214
Infineon IR2101STRPBF high a low side driver
Kód: 101030004
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 60V a proudem 295A v pouzdru D2PAK od výrobce Infineon
Kód: 101040567
Usměrňovací rychlá dioda s maximálním napětím 600V a proudem 30A
Kód: 101010328
Stránka 1 z 4 -
101 položek celkem