Infineon Technologies
Tranzistor IHW15N120R3 (H15R1203) od výrobce Infineon s maximálním napětím 1200V a proudem 30A v pouzdru TO247-3
Tranzistor IRFZ44NPBF od výrobce Infineon s maximálním napětím 55V a proudem 41A v pouzdru TO220AB
Tranzistor IHW40N60RF od výrobce Infineon s maximálním napětím 600V a proudem 80A v pouzdru TO247-3
Tranzistor IRF9540NPBF od výrobce Infineon s maximálním napětím 100V a proudem 23A v pouzdru TO220AB
Tranzistor IRF510PBF od výrobce Infineon s maximálním napětím 100V a proudem 4A v pouzdru TO220AB
Tranzistor IHW20N120R3 (H20R1203) od výrobce Infineon s maximálním napětím 1200V a proudem 40A v pouzdru TO247
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 100V a proudem 42A v pouzdru TO247AC od výrobce Infineon Technologies
Tranzistor IRLML6402TRPBF od výrobce Infineon s maximálním napětím 20V a proudem 2,2A v pouzdru SOT23
Hallova sonda; zacvakávací; -20÷20mT; 3,8÷24V DC; P-SSO-3-2; THT.
Tranzistor N-MOSFET s max. napětím D-S 30V a proudem 160A v pouzdru DPAK
Tranzistor IRLZ44NPBF od výrobce Infineon s maximálním napětím 55V a proudem 41A v pouzdru TO220AB
Tranzistor IRF520NPBF od výrobce Infineon s maximálním napětím 100V a proudem 9,7A v pouzdru TO220AB
Tranzistor IRFB3607PBF od výrobce Infineon s maximálním napětím 75V a proudem 80A v pouzdru TO220AB
Tranzistor BSS123 v pouzdru SOT23 s maximálním napětím 100V a proudem 0,17A
Tranzistor SMBTA42 od výrobce Infineon s maximálním napětím 300V a proudem 0,5A v pouzdru SOT23
Tranzistor IRF4905STRLPBF od výrobce Infineon s maximálním napětím 55V a proudem 74A v pouzdru D2PAK
Tranzistor N-MOSFET s napětím 40V, proudem 250A a výkonem 230W v pouzdru TO-220AB od výrobce Infineon
Hallova sonda; unipolární; 5÷18mT; 3,8÷24V DC; P-SSO-3-2; THT.
Tranzistor P-MOSFET s maximálním napětím 100V a proudem 23A v pouzdru TO247AC od výrobce Infineon Technologies
Integrovaný obvod IRS2103SPBF pro řízení H/2 můstku (push-pull)
Tranzistor IRFP064N od výrobce Infineon s maximálním napětím 55V a proudem 98A v pouzdru TO247AC
Tranzistor IRF4905PBF od výrobce Infineon s maximálním napětím 55V a proudem 75A v pouzdru TO220AB
Tranzistor IRGB30B60KPBF od výrobce Infineon s maximálním napětím 600V a proudem 78A v pouzdru TO220
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 64A v pouzdru TO220AB od výrobce Infineon
Tranzistor IGBT IHW30N160R2 (H30R1602) s maximálním napětím 1600V a proudem 30A v pouzdru TO247-3 od výrobce Infineon
Tranzistor N-MOSFET IPD031N06L3 s maximálním napětím 60V a proudem 100A v pouzdru DPAK od výrobce Infineon
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 100V a proudem 120A v pouzdru TO220 od výrobce Infineon
Tranzistor IRFZ44ZPBF od výrobce Infineon s maximálním napětím 55V a proudem 51A v pouzdru TO220AB
Stránka 1 z 3 - 88 položek celkem