Infineon Technologies

Tranzistor IHW15N120R3 (H15R1203) od výrobce Infineon s maximálním napětím 1200V a proudem 30A v pouzdru TO247-3

Intagrovaný polomůstek pro high-/low-side switch s max. napětím 600V

Tranzistor N-MOSFET s napětím 40V, proudem 250A a výkonem 230W v pouzdru TO-220AB od výrobce Infineon

Tranzistor IHW20N120R3 (H20R1203) od výrobce Infineon s maximálním napětím 1200V a proudem 40A v pouzdru TO247

Tranzistor BSS138W od výrobce Infineon s maximálním napětím 60V a proudem 0,28A v pouzdru SOT323

Tranzistor N-MOSFET s napětím 60V a proudem 160A v pouzdru TO220 od výrobce International Rectifier

Tranzistor IGBT s maximálním napětím 1200V a proudem 32A v pouzdru TO220 od Infineon

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 600V a proudem 20,7A v pouzdru TO220AB od výrobce Infineon

SMPS kontrolér s max. napětím 650V a soft-start / auto-restart módem od výrobce Infineon

Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 100V a proudem 42A v pouzdru TO247AC od výrobce Infineon Technologies

Tranzistor IGBT s napětím do 600V a proudem do 10A v pouzdru D2PAK

Tranzistor IGBT IHW30N160R2 (H30R1602) s maximálním napětím 1600V a proudem 30A v pouzdru TO247-3 od výrobce Infineon

Tranzistor P-MOSFET IRF5210PBF od výrobce Infineon s maximálním napětím 100V a proudem 40A v pouzdru TO220AB

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 43A v pouzdru D-PAK

Hallova sonda; unipolární; 5÷18mT; 3,8÷24V DC; P-SSO-3-2; THT.