Nastavení
Nová registraceZapomenuté heslo
Tranzistor P-MOSFET s maximálním napětím 100V a proudem 23A v pouzdru TO247AC od výrobce Infineon Technologies
Tranzistor IGBT s max. napětím 600V a proudem 55A v pouzdru TO247.
Nacházíte se na straně 5 z 5.