Nastavení
Tranzistor PNP s maximálním napětím 120V a proudem 1,5A v pouzdru TO126 od výrobce InChange
Tranzistor NPN s maximálním napětím 50V a proudem 150mA v pouzdru TO92 od výrobce Central Semiconductor
Tranzistor NPN 2SC2581 s maximálním napětím 140V a proudem 10A v pouzdru TO3PN od výrobce Sanken
Tranzistor NPN s maximálním napětím 200V a proudem 0,1A v pouzdru TO92 od výrobce Sanyo
Tranzistor darlington NPN s maximálním napětím 30V a proudem 1,5A v pouzdru TO126 od výrobce Toshiba
Tranzistor NPN s maximálním napětím 160V a proudem 1,5A v pouzdru TO126 od výrobce ROHM
Tranzistor N-MOSFET s napětím 180V, proudem 10A a výkonem 120W v pouzdru TO3PN od výrobce Toshiba
Tranzistor N-MOSFET 2SK3567 od výrobce Toshiba s maximálním napětím 600V a proudem 3,5A v pouzdru TO220FP
Tranzistor N-MOSFET s napětím 600V, proudem 20A a výkonem 150W v pouzdru TO3PN od výrobce Toshiba
Bipolární tranzistor PNP; Darlington; UCE 30V; IC 1A; 0,625W; pouzdro TO92.
Bipolární tranzistor NPN; Darlington; UCE 30V; IC 1,2A; 0,625W; pouzdro TO92.
Nacházíte se na straně 4 z 11.
