Nastavení
Tranzistor IGBT s max. napětím 600V a proudem 55A v pouzdru TO247.
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 1200V a proudem 20A v pouzdru TO220 od IXYS
Tranzistor N-MOSFET s napětím 500V, proudem 20A a výkonem 380W v pouzdru TO3PN od výrobce IXYS
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 650V a proudem 12A v pouzdru TO220SIS od výrobce Thomson
Tranzistor KC147 od výrobce Tesla s maximálním napětím 45V a proudem 0,1A v pouzdru T28
Tranzistor NPN s maximálním napětím 20V a proudem 0,1A v pouzdru T28 od výrobce Tesla
Tranzistor KC509 od výrobce Tesla s maximálním napětím 20V a proudem 0,1A v pouzdru TO18
Tranzistor NPN s maximálním napětím 35V a proudem 2x 0,02A v pouzdru TO99 od výrobce Tesla
Tranzistor KD139 od výrobce Tesla s maximálním napětím 80V a proudem 1,5A v pouzdru TO126
Tranzistor KD333 od výrobce Tesla s maximálním napětím 40V a proudem 2A v pouzdru TO66
Tranzistor KD602 od výrobce Tesla s maximálním napětím 110V a proudem 8A v pouzdru TO3
Tranzistor KD606 od výrobce Tesla s maximálním napětím 60V a proudem 10A v pouzdru TO3
Tranzistor KF508 od výrobce Tesla s maximálním napětím 32V a proudem 0,5A v pouzdru TO39
Tranzistor KF523 od výrobce Tesla s maximálním napětím 32V a proudem 0,05A v pouzdru TO5
Tranzistor N-MOSFET dvojhradlový s maximálním napětím 20V a proudem 0,04A v pouzdru TO-50 od výrobce Tesla
Nacházíte se na straně 10 z 11.
