Nastavení
Tranzistor NPN Darlington s maximálním napětím 60V a proudem 0,5A v pouzdru SOT23 od výrobce Infineon
Tranzistor s maximálním napětím 60V a proudem 1A v pouzdru SOT89 od výrobce Nexperia
Tranzistor s maximálním napětím 45V a proudem 1A v pouzdru SOT89 od výrobce Nexperia
Tranzistor darlington PNP s maximálním napětím 100V a proudem 10A v pouzdru TO220 od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 60V a proudem 0,5A v pouzdru TO92 od výrobce ON Semiconductor
Tranzistor BSP125 od výrobce Infineon s maximálním napětím 600V a proudem 0,12A v pouzdru SOT223
Tranzistor BSS123 v pouzdru SOT23 s maximálním napětím 100V a proudem 0,17A
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 100V a proudem 0,17A v pouzdru SOT23 od výrobce Diodes Incorporated
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 600V a proudem 0,021A v pouzdru SOT23 od výrobce Infineon
Nacházíte se na straně 6 z 16.