Tranzistor FDA18N50 TO3PN
Kód: 101040029Vlastní sklad
Více než 10 000 položek na vlastním skladě ihned připraveno k odeslání.
Detailní popis produktu
ON Semiconductor FDA18N50
Tranzistor N-MOSFET; UniFET™; unipolární; max. napětí Drain-Source 500V; max. napětí Gate-Source ±30V; max. proud Drainu 19A; max. ztrátový výkon 239W; odpor v sepnutém stavu 0,265Ω; náboj hradla 45nC; pouzdro TO3PN; THT montáž do DPS; pracovní teplota -55÷150°C.
Vlastnosti
- Antiparalelní zenerova dioda
- Nízký náboj hradla
- Nízký odpor v sepnutém stavu
Buďte první, kdo napíše příspěvek k této položce.
Pouze registrovaní uživatelé mohou vkládat příspěvky. Prosím přihlaste se nebo se registrujte.