Nastavení
Nová registraceZapomenuté heslo
Tranzistor NPN s maximálním napětím 210V a proudem 10A v pouzdru TO3 od výrobce Tesla
Tranzistor N-JFET s maximálním napětím 35V a proudem 0,05A v pouzdru SOT23 od výrobce ON Semiconductor
Tranzistor NPN s maximálním napětím 120V a proudem 25A v pouzdru TO3P od výrobce NTE
Tranzistor PNP s maximálním napětím 120V a proudem 25A v pouzdru TO3P od výrobce NTE
Tranzistor NPN Darlington s maximálním napětím 50V a proudem 1A v pouzdru TO92L od výrobce NTE Electronics
Tranzistor NPN TO92Max. napětí: 40VMax. proud: 0,6A
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 600V a proudem 20,7A v pouzdru TO220AB od výrobce Infineon
Unipolární tranzistor N-MOSFET s max. napětím 650V, proudem 13A a výkonem 110W v pouzdru TO220
Unipolární tranzistor N-MOSFET s max. napětím 60V, proudem 50A a výkonem 110W v pouzdru TO220
Tranzistor STW11NK100Z od výrobce STMicroelectronics s maximálním napětím 1000V a proudem 8,3A v pouzdru TO247
Tranzistor TK8P60W,RVQ od výrobce Toshiba s maximálním napětím 600V a proudem 8A v pouzdru DPAK
Nacházíte se na straně 15 z 15.
