Tranzistory, Strana 2
Nejprodávanější
Tranzistor N-MOSFET s napětím 180V, proudem 10A a výkonem 120W v pouzdru TO3PN od výrobce Toshiba
Tranzistor KC147 od výrobce Tesla s maximálním napětím 45V a proudem 0,1A v pouzdru T28
Tranzistor 2N3441 od výrobce Motorola s maximálním napětím 140V a proudem 3A v pouzdru TO66
Tranzistor IGBT s napětím do 600V a proudem do 10A v pouzdru D2PAK
Tranzistor IGBT s max. napětím 600V a proudem 55A v pouzdru TO247.
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 40V a proudem 250A v pouzdru D2PAK od výrobce Infineon
Tranzistor KD3773 od výrobce Tesla s maximálním napětím 140V a proudem 16A v pouzdru TO3
Tranzistor NPN 2SC2581 s maximálním napětím 140V a proudem 10A v pouzdru TO3PN od výrobce Sanken
Tranzistor IGBT IKW15N120H3 s maximálním napětím 600V a proudem 40A v pouzdru TO247-3 od výrobce Infineon
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 1200V a proudem 30A v pouzdru TO247.
Tranzistor IGBT IHW30N160R2 (H30R1602) s maximálním napětím 1600V a proudem 30A v pouzdru TO247-3 od výrobce Infineon
Tranzistor NPN s maximálním napětím 50V a proudem 150mA v pouzdru TO92 od výrobce Central Semiconductor
Tranzistor KU606 od výrobce Tesla s maximálním napětím 120V a proudem 8A v pouzdru TO3
Tranzistor NPN s maximálním napětím 100V a proudem 8A v pouzdru TO3 od výrobce Tesla
Tranzistor BD911 od výrobce STMicroelectronics s maximálním napětím 100V a proudem 15A v pouzdru TO220
Tranzistor IXGR40N60C2 bez ochranné diody s maximálním napětím 600V a proudem 75A v pouzdru TO247 PLUS
Tranzistor IGBT 600V/70A 290W v pouzdře TO247-3 od výrobce Fairchild
