Nastavení
Nová registraceZapomenuté heslo
Tranzistor P-MOSFET IRF5210PBF od výrobce Infineon s maximálním napětím 100V a proudem 40A v pouzdru TO220AB
Tranzistor IRLZ34NPBF od výrobce Infineon s maximálním napětím 55V a proudem 27A v pouzdru TO220AB
Bipolární tranzistor NPN v pouzdru SOT23 Maximální napětí UCE: 400 V Maximální proud IC: 0,3 A
Tranzistor N-MOSFET s napětím 60V a proudem 160A v pouzdru TO220 od výrobce International Rectifier
Tranzistor P-mosfet s maximálním napětím 200V a proudem 12A v pouzdru TO247 od výrobce Vishay
Bipolární tranzistor PNP; UCE 45V; IC 100mA; výkon 0,5W; pouzdro TO92.
Unipolární tranzistor, N kanál, SMD, 55V, 2A, 2,1W, SOT223
Bipolární tranzistor PNP v pouzdru TO3PLMaximální napětí UCE: 230VMaximální proud IC: 15A
Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 30V a proudem 10A v pouzdru SO8 od výrobce Alpha & Omega
Tranzistor IGBT s napětím do 600V a proudem do 10A v pouzdru D2PAK
Tranzistor IHW15N120R3 (H15R1203) od výrobce Infineon s maximálním napětím 1200V a proudem 30A v pouzdru TO247-3
Unipolární tranzistor N-MOSFET s max. napětím 55V, proudem 98A a výkonem 150W v pouzdru TO220.
Tranzistor IRF9640PBF od výrobce Vishay s maximálním napětím 200V a proudem 6,8A v pouzdru TO220AB
Bipolární tranzistor NPN; Darlington; UCE 30V; IC 1,2A; 0,625W; pouzdro TO92.
Tranzistor s maximálním napětím 60V a proudem 1A v pouzdru SOT89 od výrobce Nexperia
Nacházíte se na straně 2 z 15.