Nastavení
Nová registraceZapomenuté heslo
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 43A v pouzdru D-PAK
Tranzistor PNP, 80V, 500mA, 625mW, TO92, THT.
Výkonový N-MOSFET, pouzdro D2PAK Napětí UDS / proud ID: 55 V / 100 A Odpor v sepnutém stavu: 4,4 mΩ
Tranzistor P-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 31A v pouzdru DPAK od výrobce Infineon
Tranzistor NPN s maximálním napětím 50V a proudem 150mA v pouzdru TO92 od výrobce Central Semiconductor
Tranzistor BSS138 od výrobce Micro Commercial Components (MCC) s maximálním napětím 50V a proudem 0,22A v pouzdru SOT23
Tranzistor N-MOSFET s napětím 60V a proudem 120A v pouzdru TO220 od výrobce International Rectifier
Tranzistor N-MOSFET s napětím 60V a proudem 160A v pouzdru TO220 od výrobce International Rectifier
Bipolární tranzistor NPN v pouzdru SOT23 Maximální napětí UCE: 400 V Maximální proud IC: 0,3 A
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 600V a proudem 4A v pouzdru IPAK od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor IRF3205SPBF od výrobce International Rectifier s maximálním napětím 55V a proudem 110A v pouzdru D2PAK
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 800V a proudem 2,5A v pouzdru TO220FP od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor 2N5088 od výrobce Central Semiconductor s maximálním napětím 30V a proudem 0,05A v pouzdru TO92
Bipolární tranzistor NPN; Darlington; UCE 30V; IC 1,2A; 0,625W; pouzdro TO92.
Tranzistor N-MOSFET s max. napětím D-S 30V a proudem 160A v pouzdru DPAK
Tranzistor PNP s maximálním napětím 50V a proudem 0,15A v pouzdru TO92 od výrobce ON Semiconductor
Tranzistor N-MOSFET STP4NK60ZFP s maximálním napětím 600V a proudem 4A v pouzdru TO220FP od výrobce STMicroelectronics
Nacházíte se na straně 2 z 15.
