Nastavení
Tranzistor NPN s maximálním napětím 160V a proudem 16A v pouzdru TO3 od výrobce ONSEMI
Tranzistor PNP s maximálním napětím 80V a proudem 4A v pouzdru TO126
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 1000V a proudem 60A v pouzdru TO264 od výrobce ON Semiconductor
Tranzistor IGBT IKW15N120H3 s maximálním napětím 600V a proudem 40A v pouzdru TO247-3 od výrobce Infineon
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 40V a proudem 202A v pouzdru TO220AB od výrobce Thomson
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 800V a proudem 2,5A v pouzdru TO220FP od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor STFH13N60M2 od výrobce STMicroelectronics s maximálním napětím 600V a proudem 11A v pouzdru TO220FP
Výkonový N-MOSFET, pouzdro SOT23Napětí UDS / proud ID: 60 V / 1,2 A Odpor v sepnutém stavu: 480 mΩ
Sada bipolárních tranzistorůPouzdro: TO92V balení: 300 ks
Tranzistor 2N5088 od výrobce Central Semiconductor s maximálním napětím 30V a proudem 0,05A v pouzdru TO92
Nacházíte se na straně 3 z 15.