Tranzistory, Strana 13

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 60V a proudem 170A v pouzdru TO263 (D2PAK) od výrobce Texas Instruments

Tranzistor s maximálním napětím 20V a proudem 2x 6,5A v pouzdru SO8 od výrobce ONSEMI.

Tranzistor IGBT s maximálním napětím 600V a proudem 40A v pouzdru TO247.

Tranzistor IGBT s napětím do 600V a proudem do 60A v pouzdru TO247.

Tranzistor IGBT s napětím do 600V a proudem do 10A v pouzdru D2PAK

Tranzistor IKQ100N60T s maximálním napětím 600V a proudem 160A v pouzdru TO247 PLUS

Tranzistor IKW15N120H3 od výrobce Infineon s maximálním napětím 1200V a proudem 30A v pouzdru TO247-3

Tranzistor IGBT K40T1202 s maximálním napětím 1200V a proudem 75A v pouzdru TO247-3 od výrobce Infineon

Tranzistor N-MOSFET IPD031N06L3 s maximálním napětím 60V a proudem 100A v pouzdru DPAK od výrobce Infineon

Tranzistor N-MOSFET s napětím 55V, proudem 175A a výkonem 330W v pouzdru TO-220AB od výrobce Infineon

Tranzistor P-MOSFET dvojitý s napětím 30V, proudem 4,9A a výkonem 2W v pouzdru SO8 od výrobce Infineon

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 400V a proudem 10A v pouzdru D2PAK od výrobce Vishay

Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 200V a proudem 30A v pouzdru TO247AC od výrobce Infineon Technologies

Tranzistor IRFP4110PBF od výrobce Infineon Technologies s maximálním napětím 100V a proudem 120A v pouzdru TO247AC

Tranzistor P-MOSFET s maximálním napětím 100V a proudem 23A v pouzdru TO247AC od výrobce Infineon Technologies

Tranzistor P-mosfet s maximálním napětím 200V a proudem 12A v pouzdru TO247 od výrobce Vishay

Tranzistor IGBT s max. napětím 600V a proudem 55A v pouzdru TO247.

Tranzistor IGBT s maximálním napětím 1200V a proudem 20A v pouzdru TO220 od IXYS

Tranzistor N-MOSFET s napětím 500V, proudem 20A a výkonem 380W v pouzdru TO3PN od výrobce IXYS

Tranzistor IXGR40N60C2D1 s maximálním napětím 600V a proudem 75A v pouzdru TO247 PLUS