Tranzistor N-MOSFET STP4NK60ZFP s maximálním napětím 600V a proudem 4A v pouzdru TO220FP od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor darlington NPN s maximálním napětím 30V a proudem 1,5A v pouzdru TO126 od výrobce Toshiba
Tranzistor STP34NM60N s maximálním napětím 600V a proudem 31,5A v pouzdru TO220-3 od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor KF506 od výrobce Tesla s maximálním napětím 50V a proudem 0,5A v pouzdru TO39
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 100V a proudem 130A v pouzdru TO220-3 od výrobce IXYS
Tranzistor STW11NK100Z od výrobce STMicroelectronics s maximálním napětím 1000V a proudem 8,3A v pouzdru TO247
Tranzistor IRFB3006PBF od výrobce Infineon Technologies s maximálním napětím 60V a proudem 195A v pouzdru TO220
Tranzistor IXFP220N06T3 od výrobce IXYS s maximálním napětím 60V a proudem 160A v pouzdru TO220
Tranzistor P-MOSFET s napětím 180V, proudem 10A a výkonem 120W v pouzdru TO3PN od výrobce Toshiba
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 30V a proudem 5,7A v pouzdru SOT23 od výrobce Alpha & Omega
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 1200V a proudem 20A v pouzdru TO220 od IXYS
Nastavení