Nastavení
Tranzistor N-MOSFET s napětím 40V, proudem 250A a výkonem 230W v pouzdru TO-220AB od výrobce Infineon
Tranzistor P-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 31A v pouzdru DPAK od výrobce Infineon
Tranzistor bipolární PNP Uceo/Ic: 45V/0.5A Pd: 300mW Pouzdro: SOT23
Výkonový N-MOSFET, pouzdro D2PAK Napětí UDS / proud ID: 55 V / 100 A Odpor v sepnutém stavu: 4,4 mΩ
Sada bipolárních tranzistorůPouzdro: TO92V balení: 300 ks
Tranzistor PNP s maximálním napětím 120V a proudem 1,5A v pouzdru TO126 od výrobce InChange
Tranzistor NPN s maximálním napětím 50V a proudem 0,15A v pouzdru SC59 od výrobce Rohm
Tranzistor NPN s maximálním napětím 200V a proudem 0,1A v pouzdru TO92 od výrobce Sanyo
Tranzistor 2SC4793 od výrobce Toshiba s maximálním napětím 230V a proudem 1A v pouzdru TO220
Tranzistor darlington NPN s maximálním napětím 30V a proudem 1,5A v pouzdru TO126 od výrobce Toshiba
Tranzistor NPN s maximálním napětím 160V a proudem 1,5A v pouzdru TO126 od výrobce ROHM
Tranzistor N-MOSFET s napětím 180V, proudem 10A a výkonem 120W v pouzdru TO3PN od výrobce Toshiba
Tranzistor N-MOSFET 2SK3567 od výrobce Toshiba s maximálním napětím 600V a proudem 3,5A v pouzdru TO220FP
Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 30V a proudem 10A v pouzdru SO8 od výrobce Alpha & Omega
Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 30V a proudem 12,7A v pouzdru SO8 od výrobce Alpha & Omega
Tranzistor N-MOSFET s napětím 30V, proudem 6A a výkonem 1,28W v pouzdru TSOP6 od výrobce Alpha & Omega Semiconductor
Nacházíte se na straně 4 z 15.
