Nastavení
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 600V a proudem 4A v pouzdru IPAK od výrobce STMicroelectronics
Unipolární tranzistor N-MOSFET s max. napětím 55V, proudem 98A a výkonem 150W v pouzdru TO220.
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 43A v pouzdru D-PAK
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 600V a proudem 14A v pouzdru TO220FP od výrobce STMicroelectronics
Sada bipolárních tranzistorůPouzdro: TO92V balení: 300 ks
Tranzistor 2SC4793 od výrobce Toshiba s maximálním napětím 230V a proudem 1A v pouzdru TO220
Bipolární tranzistor NPN; UCE 20V; IC 2A; výkon 1,35W; pouzdro SOT223.
Tranzistor BD242C od výrobce ON Semiconductor s maximálním napětím 1200V a proudem 3A v pouzdru TO220
Tranzistor BD244CG od výrobce ON Semiconductor s maximálním napětím 100V a proudem 6A v pouzdru TO220AB
Tranzistor BSS123 v pouzdru SOT23 s maximálním napětím 100V a proudem 0,17A
Tranzistor N-MOSFET s napětím 40V, proudem 250A a výkonem 230W v pouzdru TO-220AB od výrobce Infineon
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 40V a proudem 172A v pouzdru TO220 od výrobce Infineon
Nacházíte se na straně 3 z 16.
