Tranzistory, Strana 2
Nejprodávanější
Tranzistor IGBT K40T1202 s maximálním napětím 1200V a proudem 75A v pouzdru TO247-3 od výrobce Infineon
Bipolární tranzistor PNP; UCE 120V; IC 30A; výkon 200W; pouzdro TO3.
Tranzistor IGBT IHW30N160R2 (H30R1602) s maximálním napětím 1600V a proudem 30A v pouzdru TO247-3 od výrobce Infineon
Tranzistor IXGR40N60C2 bez ochranné diody s maximálním napětím 600V a proudem 75A v pouzdru TO247 PLUS
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 40V a proudem 250A v pouzdru D2PAK od výrobce Infineon
Tranzistor IGBT s max. napětím 600V a proudem 55A v pouzdru TO247.
Tranzistor KF517 od výrobce Tesla s maximálním napětím 30V a proudem 0,6A v pouzdru TO39
Tranzistor IGBT s napětím do 600V a proudem do 10A v pouzdru D2PAK
Tranzistor 2N5088 od výrobce Central Semiconductor s maximálním napětím 30V a proudem 0,05A v pouzdru TO92
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 650V a proudem 17,5A v pouzdru TO220FP od výrobce Infineon
Tranzistor KC147 od výrobce Tesla s maximálním napětím 45V a proudem 0,1A v pouzdru T28
Bipolární tranzistor PNP; UCE 50V; IC 100mA; výkon 0,5W; pouzdro TO92.
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 200V a proudem 30A v pouzdru TO247AC od výrobce Infineon Technologies
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 1200V a proudem 30A v pouzdru TO247.
Tranzistor NPN s maximálním napětím 50V a proudem 150mA v pouzdru TO92 od výrobce Central Semiconductor
Tranzistor IGBT IKW15N120H3 s maximálním napětím 600V a proudem 40A v pouzdru TO247-3 od výrobce Infineon
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 100V a proudem 42A v pouzdru TO247AC od výrobce Infineon Technologies
