Nastavení
Nová registraceZapomenuté heslo
Tranzistor N-MOSFET s napětím Drain-Source do 100V a proudem Drainu do 80A v pouzdru TO220
Tranzistor N-MOSFET s napětím 55V, proudem 80A a výkonem 300W v pouzdru TO-220-3 od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor N-MOSFET s napětím 650V a proudem 68A v pouzdru TO247 od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor N-MOSFET s napětím 650V, proudem 13A a výkonem 52W v pouzdru TO-220-3 od výrobce Transphorm
Tranzistor N-MOSFET s napětím 180V, proudem 2A a výkonem 30W v pouzdru TO-220AB od výrobce Hitachi
Tranzistor N-JFET BF256B s maximálním napětím 30V a proudem 0,013A v pouzdru TO92 od výrobce ONSEMI.
Tranzistor N-MOSFET s napětím 55V, proudem 175A a výkonem 330W v pouzdru TO-220AB od výrobce Infineon
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 200V a proudem 20A v pouzdru TO247AC od výrobce Vishay
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 200V a proudem 30A v pouzdru TO247AC od výrobce Infineon Technologies
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 400V a proudem 23A v pouzdru TO247AC od výrobce Vishay
Tranzistor IRFP4110PBF od výrobce Infineon Technologies s maximálním napětím 100V a proudem 120A v pouzdru TO247AC
Tranzistor N-MOSFET s napětím 500V, proudem 20A a výkonem 380W v pouzdru TO3PN od výrobce IXYS
Tranzistor N-MOSFET dvojhradlový s maximálním napětím 20V a proudem 0,04A v pouzdru TO-50 od výrobce Tesla
Unipolární tranzistor N-MOSFET s max. napětím 650V, proudem 13A a výkonem 110W v pouzdru TO220
Nacházíte se na straně 3 z 4.
