Unipolární tranzistory N-kanál

Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 60V a proudem 0,5A v pouzdru TO92 od výrobce ON Semiconductor

Tranzistor IRFB3006PBF od výrobce Infineon Technologies s maximálním napětím 60V a proudem 195A v pouzdru TO220

Výkonový N-MOSFET, pouzdro SOT23
Napětí U_DS / proud I_D: 60 V / 1,2 A 
Odpor v sepnutém stavu: 480 mΩ

Tranzistor BSS138W od výrobce Infineon s maximálním napětím 60V a proudem 0,28A v pouzdru SOT323

Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 60V a proudem 84A v pouzdru TO220AB od výrobce Infineon

Tranzistor N-MOSFET s napětím 60V a proudem 120A v pouzdru TO220 od výrobce International Rectifier

Tranzistor N-MOSFET s napětím 60V a proudem 160A v pouzdru TO220 od výrobce International Rectifier

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 60V a proudem 295A v pouzdru D2PAK od výrobce Infineon

Tranzistor NTD24N06LG s maximálním napětím 60V a proudem 24A v pouzdru DPAK

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 60V a proudem 40A v pouzdru TO252AA od výrobce ShinDegen

Unipolární tranzistor N-MOSFET s max. napětím 60V, proudem 50A a výkonem 110W v pouzdru TO220

Tranzistor STP60NF06 od výrobce STMicroelectronics s maximálním napětím 60V a proudem 60A v pouzdru TO220-3

Dvojitý tranzistor s maximálním napětím 60V a proudem 2x 4,5A v pouzdru SO8 od výrobce Taiwan Semiconductor

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 60V a proudem 170A v pouzdru TO263 (D2PAK) od výrobce Texas Instruments

Tranzistor N-MOSFET IPD031N06L3 s maximálním napětím 60V a proudem 100A v pouzdru DPAK od výrobce Infineon