Statická paměť CMOS SRAM s kapacitou 1Mbit, organizovaná jako 131 072 × 8 bitů (131k × 8bit). Obvod pracuje s napájením 5V a varianta -70 nabízí maximální přístupovou dobu 70ns. Dodává se v klasickém průchozím pouzdru DIP32, vhodném pro THT montáž.

Paměť je určena zejména pro mikroprocesorové systémy a aplikace vyžadující rychlou paralelní paměť s nízkou spotřebou. Díky klasickému 5V rozhraní a pouzdru DIP32 je vhodná také pro servis a opravy starší elektroniky, kde je požadován původní obvod TC551001BPL-70.

Hlavní vlastnosti:

typ paměti: CMOS SRAM
kapacita: 1 048 576 bitů / 1Mbit
organizace: 131 072 × 8 bitů (131k × 8bit)
přístupová doba: max. 70ns
napájecí napětí: 4,5–5,5V
nominální napájení: 5V
datová sběrnice: 8 bitů
adresová sběrnice: 17 bitů (A0–A16)
vstupy/výstupy kompatibilní s TTL
řízení: CE1, CE2, OE a R/W
napětí pro uchování dat: 2,0–5,5V
pouzdro: DIP32-P-600
montáž: THT
pracovní teplota: 0 až +70°C
označení výrobce: TC551001BPL-70

Doplňkové parametry

Kategorie:	Paměťové obvody
Typ:	Paměť
Druh:	Paměť SRAM
Pracovní napětí (V):	4,5÷5,5
Provedení:	131072 x 8bit
Pouzdro:	DIP32
Montáž:	THT

Datasheet (262.6 kB)