Toshiba

Tranzistor 2SC4793 od výrobce Toshiba s maximálním napětím 230V a proudem 1A v pouzdru TO220

Tranzistor PNP s maximálním napětím 230V a proudem 1A v pouzdru TO220

Tranzistor SSM3K333R od výrobce Toshiba s maximálním napětím 30V a proudem 6A v pouzdru SOT23F

Tranzistor SSM3J332R od výrobce Toshiba s maximálním napětím 30V a proudem 6A v pouzdru SOT23F

Analogový optočlen TLP627 pro galvanické oddělení signálu v THT pouzdru

Tranzistor N-MOSFET s napětím 600V, proudem 20A a výkonem 150W v pouzdru TO3PN od výrobce Toshiba

Tranzistor 2SA1943 od výrobce Toshiba s maximálním napětím 230V a proudem 15A v pouzdru TO3PL

Tranzistorové pole ULN2803 s maximálním napětím 50V a proudem 0,5A

Tranzistor N-MOSFET 2SK3567 od výrobce Toshiba s maximálním napětím 600V a proudem 3,5A v pouzdru TO220FP

Tranzistor darlington NPN s maximálním napětím 30V a proudem 1,5A v pouzdru TO126 od výrobce Toshiba

Analogový optočlen TLP521-1 pro galvanické oddělení signálu v THT pouzdru

Analogový optočlen TLP521-1 pro galvanické oddělení signálu v THT pouzdru

Analogový optočlen TLP620 pro galvanické oddělení signálu v THT pouzdru

Tranzistor TK8P60W,RVQ od výrobce Toshiba s maximálním napětím 600V a proudem 8A v pouzdru DPAK

Analogový tranzistorový optočlen pro galvanické oddělení signálů v SMD pouzdru

Tranzistor 2SC732 od výrobce Toshiba s maximálním napětím 50V a proudem 0,15A v pouzdru TO92

Tranzistor 2SC3355 od výrobce Toshiba s maximálním napětím 12V a proudem 0,1A v pouzdru TO92

Tranzistor 2SC2717 od výrobce Toshiba s maximálním napětím 25V a proudem 0,05A v pouzdru TO92

Tranzistor 2SA970GR od výrobce Toshiba s maximálním napětím 120V a proudem 0,1A v pouzdru TO92

Tranzistor 2SC3310 od výrobce Toshiba s maximálním napětím 400V a proudem 5A v pouzdru TO220FA

Paměť SRAM; 256 x 8bit CMOS SRAM; DIP40; THT.