Tranzistory

Tranzistor IHW15N120R3 (H15R1203) od výrobce Infineon s maximálním napětím 1200V a proudem 30A v pouzdru TO247-3

Tranzistor BF245A s maximálním napětím 30V a proudem 0,1A v pouzdru TO92 od výrobce ON Semiconductor

Sada 100 kusů různých bipolárních tranzistorů v pouzdru TO92 a TO126

Tranzistor IGBT s napětím do 600V a proudem do 60A v pouzdru TO247.

Sada 300 kusů různých bipolárních tranzistorů v pouzdru TO92

Tranzistor IHW20N120R3 (H20R1203) od výrobce Infineon s maximálním napětím 1200V a proudem 40A v pouzdru TO247

Tranzistor NPN s maximálním napětím 80V a proudem 10A v pouzdru TO3 od výrobce Tesla

Tranzistor KC149 od výrobce Tesla s maximálním napětím 20V a proudem 0,1A v pouzdru K401

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 43A v pouzdru D-PAK

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 650V a proudem 17,5A v pouzdru TO220FP od výrobce Infineon

Tranzistor 2N5088 od výrobce Central Semiconductor s maximálním napětím 30V a proudem 0,05A v pouzdru TO92

Tranzistor NPN s maximálním napětím 200V a proudem 0,1A v pouzdru TO92 od výrobce Sanyo

Tranzistor KF508 od výrobce Tesla s maximálním napětím 32V a proudem 0,5A v pouzdru TO39

Tranzistor IGBT s napětím do 1200V a proudem do 25A v pouzdru TO3P.

Tranzistor IGBT s maximálním napětím 1000V a proudem 60A v pouzdru TO264 od výrobce ON Semiconductor

Unipolární tranzistor N-MOSFET s max. napětím 55V, proudem 98A a výkonem 150W v pouzdru TO220.