Nastavení
Tranzistor PNP (Darlington) s napětím 100V, proudem 8A a výkonem 70W v pouzdru TO-220 od výrobce STMicroelectronics
Sada 170 kusů různých bipolárních tranzistorů v pouzdru TO92
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 100V a proudem 0,17A v pouzdru SOT23 od výrobce Diodes Incorporated
Tranzistor N-MOSFET s napětím 30V, proudem 8,5A a výkonem 2,5W v pouzdru SO8 od výrobce ON Semiconductor
Tranzistor P-mosfet s maximálním napětím 60V a proudem 18A v pouzdru TO263 od výrobce Vishay
Tranzistor N-MOSFET STP4NK60ZFP s maximálním napětím 600V a proudem 4A v pouzdru TO220FP od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 500V a proudem 5A v pouzdru TO252 od výrobce Alpha & Omega
Tranzistor s maximálním napětím 45V a proudem 1A v pouzdru SOT89 od výrobce Nexperia
Tranzistor BD244CG od výrobce ON Semiconductor s maximálním napětím 100V a proudem 6A v pouzdru TO220AB
Tranzistor IHW20N120R3 (H20R1203) od výrobce Infineon s maximálním napětím 1200V a proudem 40A v pouzdru TO247
Tranzistor IXGR40N60C2D1 s maximálním napětím 600V a proudem 75A v pouzdru TO247 PLUS
Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 150V a proudem 3,7A v pouzdru SO8 od výrobce Vishay
Tranzistor PNP 2SA1106 s maximálním napětím 140V a proudem 10A v pouzdru TO3PN od výrobce Sanken
Bipolární tranzistor PNP v pouzdru TO3PLMaximální napětí UCE: 230VMaximální proud IC: 15A
Tranzistor P-mosfet s maximálním napětím 30V a proudem 18A v pouzdru TO252 od výrobce Alpha & Omega
Tranzistor darlington PNP s maximálním napětím 100V a proudem 10A v pouzdru TO220 od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor N-JFET BF256B s maximálním napětím 30V a proudem 0,013A v pouzdru TO92 od výrobce ONSEMI.
Nacházíte se na straně 3 z 15.
