Nastavení
Tranzistor P-MOSFET dvojitý s napětím 30V, proudem 4,9A a výkonem 2W v pouzdru SO8 od výrobce Infineon
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 200V a proudem 30A v pouzdru TO247AC od výrobce Infineon Technologies
Tranzistor IRFP4110PBF od výrobce Infineon Technologies s maximálním napětím 100V a proudem 120A v pouzdru TO247AC
Tranzistor P-MOSFET s maximálním napětím 100V a proudem 23A v pouzdru TO247AC od výrobce Infineon Technologies
Tranzistor P-mosfet s maximálním napětím 200V a proudem 12A v pouzdru TO247 od výrobce Vishay
Tranzistor IGBT s max. napětím 600V a proudem 55A v pouzdru TO247.
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 1200V a proudem 20A v pouzdru TO220 od IXYS
Tranzistor N-MOSFET s napětím 500V, proudem 20A a výkonem 380W v pouzdru TO3PN od výrobce IXYS
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 650V a proudem 12A v pouzdru TO220SIS od výrobce Thomson
Tranzistor KC147 od výrobce Tesla s maximálním napětím 45V a proudem 0,1A v pouzdru T28
Tranzistor NPN s maximálním napětím 20V a proudem 0,1A v pouzdru T28 od výrobce Tesla
Tranzistor KC149 od výrobce Tesla s maximálním napětím 20V a proudem 0,1A v pouzdru K401
Tranzistor KC238B od výrobce Tesla s maximálním napětím 30V a proudem 0,1A v pouzdru TO92
Tranzistor KC509 od výrobce Tesla s maximálním napětím 20V a proudem 0,1A v pouzdru TO18
Tranzistor NPN s maximálním napětím 35V a proudem 2x 0,02A v pouzdru TO99 od výrobce Tesla
Tranzistor KD139 od výrobce Tesla s maximálním napětím 80V a proudem 1,5A v pouzdru TO126
Tranzistor KD333 od výrobce Tesla s maximálním napětím 40V a proudem 2A v pouzdru TO66
Nacházíte se na straně 14 z 16.
