Nastavení
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 300V a proudem 70A v pouzdru TO247AC od výrobce Infineon Technologies
Tranzistor P-MOSFET s maximálním napětím 100V a proudem 21A v pouzdru TO247AC od výrobce Infineon Technologies
Tranzistor P-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 31A v pouzdru DPAK od výrobce Infineon
Tranzistor IRFR5305TRPBF od výrobce Infineon s maximálním napětím 55V a proudem 28A v pouzdru DPAK
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 60V a proudem 295A v pouzdru D2PAK od výrobce Infineon
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 64A v pouzdru TO220AB od výrobce Infineon
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 28A v pouzdru DPAK od výrobce Infineon
Tranzistor N-MOSFET s max. napětím D-S 30V a proudem 160A v pouzdru DPAK
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 17A v pouzdru IPAK od výrobce Infineon Technologies
Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 150V a proudem 110A v pouzdru D2PAK od výrobce IXYS
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 100V a proudem 130A v pouzdru TO220-3 od výrobce IXYS
Tranzistor IXFX100N65X2 od výrobce IXYS s maximálním napětím 650V a proudem 100A v pouzdru TO247PLUS
Tranzistor NTD24N06LG s maximálním napětím 60V a proudem 24A v pouzdru DPAK
Tranzistor P-mosfet s maximálním napětím 60V a proudem 14A v pouzdru WDFN-8 od výrobce Vishay
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 60V a proudem 40A v pouzdru TO252AA od výrobce ShinDegen
Dvojitý tranzistor N-mosfet + P-mosfet s maximálním napětím 20/-20V a proudem 5,3/-4,5A v pouzdru DFN2020-6 od výrobce Nexperia
Tranzistor P-MOSFET s napětím 30V, proudem 29A a výkonem 7,8W v pouzdru SO8 od výrobce Vishay
Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 150V a proudem 3,7A v pouzdru SO8 od výrobce Vishay
Tranzistor SI9435BDY-E3 od výrobce Vishay s maximálním napětím 30V a proudem 4,1A v pouzdru SO8
Nacházíte se na straně 4 z 6.
