Tranzistor IRFB3006PBF od výrobce Infineon Technologies s maximálním napětím 60V a proudem 195A v pouzdru TO220
Tranzistor IXFP220N06T3 od výrobce IXYS s maximálním napětím 60V a proudem 160A v pouzdru TO220
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 60V a proudem 170A v pouzdru TO263 (D2PAK) od výrobce Texas Instruments
Tranzistor IRFP4110PBF od výrobce Infineon Technologies s maximálním napětím 100V a proudem 120A v pouzdru TO247AC
Tranzistor STW11NK100Z od výrobce STMicroelectronics s maximálním napětím 1000V a proudem 8,3A v pouzdru TO247
Tranzistor N-JFET s maximálním napětím 35V a proudem 0,05A v pouzdru SOT23 od výrobce ON Semiconductor
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 60V a proudem 40A v pouzdru TO252AA od výrobce ShinDegen
Tranzistor BSS138 od výrobce Micro Commercial Components (MCC) s maximálním napětím 50V a proudem 0,22A v pouzdru SOT23
Tranzistor N-MOSFET IPD031N06L3 s maximálním napětím 60V a proudem 100A v pouzdru DPAK od výrobce Infineon
Tranzistor N-MOSFET s napětím Drain-Source do 100V a proudem Drainu do 80A v pouzdru TO220
Tranzistor BF545B od výrobce NXP s maximálním napětím 30V a proudem 0,015A v pouzdru SOT23
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 60V a proudem 0,5A v pouzdru TO92 od výrobce ON Semiconductor
Tranzistor N-MOSFET STP4NK60ZFP s maximálním napětím 600V a proudem 4A v pouzdru TO220FP od výrobce STMicroelectronics
Nastavení