Nastavení
Tranzistor NPN Uceo/Ic: 50V/0.1A Pd: 250mW Pouzdro: SOT323
Tranzistor NPN Uceo/Ic: 50V/0.1A Pd: 200mW Pouzdro: SOT23
Tranzistor NPN Uceo/Ic: 50V/0.1A Pd: 250mW Pouzdro: SOT23
Tranzistor PNP Uceo/Ic: 50V/0.1A Pd: 200mW Pouzdro: SOT23
Tranzistor PNP Uceo/Ic: 50V/0.1A Pd: 250mW Pouzdro: SOT323
Tranzistor PNP Uceo/Ic: 50V/0.5A Pd: 330mW Pouzdro: SOT23
Tranzistor darlington NPN Uceo/Ic: 30V/0.1A Pd: 300mW Pouzdro: SOT143
Tranzistor bipolární NPN Uceo/Ic: 45V/3A Pd: 5W Pouzdro: SOT223
Tranzistor bipolární PNP Uceo/Ic: 60V/3A Pd: 5W Pouzdro: SOT223
Tranzistor IKQ100N60T s maximálním napětím 600V a proudem 160A v pouzdru TO247 PLUS
Tranzistor IKW15N120H3 od výrobce Infineon s maximálním napětím 1200V a proudem 30A v pouzdru TO247-3
Tranzistor IGBT K40T1202 s maximálním napětím 1200V a proudem 75A v pouzdru TO247-3 od výrobce Infineon
Tranzistor N-MOSFET s napětím 55V, proudem 175A a výkonem 330W v pouzdru TO-220AB od výrobce Infineon
Tranzistor P-MOSFET dvojitý s napětím 30V, proudem 4,9A a výkonem 2W v pouzdru SO8 od výrobce Infineon
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 200V a proudem 30A v pouzdru TO247AC od výrobce Infineon Technologies
Tranzistor IRFP4110PBF od výrobce Infineon Technologies s maximálním napětím 100V a proudem 120A v pouzdru TO247AC
Tranzistor P-MOSFET s maximálním napětím 100V a proudem 23A v pouzdru TO247AC od výrobce Infineon Technologies
Nacházíte se na straně 4 z 5.
