Nastavení
Tranzistor N-MOSFET s napětím 40V, proudem 250A a výkonem 230W v pouzdru TO-220AB od výrobce Infineon
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 40V a proudem 172A v pouzdru TO220 od výrobce Infineon
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 100V a proudem 42A v pouzdru TO247AC od výrobce Infineon Technologies
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 300V a proudem 70A v pouzdru TO247AC od výrobce Infineon Technologies
Tranzistor P-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 31A v pouzdru DPAK od výrobce Infineon
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 60V a proudem 295A v pouzdru D2PAK od výrobce Infineon
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 28A v pouzdru DPAK od výrobce Infineon
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 17A v pouzdru IPAK od výrobce Infineon Technologies
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 600V a proudem 20,7A v pouzdru TO220AB od výrobce Infineon
Integrovaný obvod; číslicový; CMOS; 3× 2-kanálový analogový multiplexor/demultiplexor; DIP16; THT.
Integrovaný obvod pro měnič AC/DC; kontrolér SMPS; pouzdro DIP8; montáž THT.
Usměrňovací rychlá dioda s maximálním napětím 600V a proudem 30A
FRAM paměť s rozhraním I2C od výrobce Cypress Semiconductor
Infineon IRS21867STRPBF
Infineon IR2101STRPBF high a low side driver
Infineon IR2106PBF high a low side N-MOSFET driver s max. napětím 600V
Tranzistor NPN Uceo/Ic: 50V/0.1A Pd: 200mW Pouzdro: SOT23
Tranzistor 2xNPN Uceo/Ic: 50V/0.1A Pd: 250mW Pouzdro: SOT363
Tranzistor NPN Uceo/Ic: 50V/0.1A Pd: 250mW Pouzdro: SOT323
Nacházíte se na straně 3 z 5.
