Nastavení
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 40V a proudem 172A v pouzdru TO220 od výrobce Infineon
Tranzistor P-MOSFET s napětím 250V, proudem 2,6A a výkonem 35W v pouzdru TO220FP od výrobce Vishay
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 100V a proudem 42A v pouzdru TO247AC od výrobce Infineon Technologies
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 200V a proudem 20A v pouzdru TO247AC od výrobce Vishay
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 400V a proudem 23A v pouzdru TO247AC od výrobce Vishay
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 300V a proudem 70A v pouzdru TO247AC od výrobce Infineon Technologies
Tranzistor P-MOSFET s maximálním napětím 100V a proudem 21A v pouzdru TO247AC od výrobce Infineon Technologies
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 64A v pouzdru TO220AB od výrobce Infineon
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 1200V a proudem 80A v pouzdru Super-247
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 17A v pouzdru IPAK od výrobce Infineon Technologies
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 100V a proudem 130A v pouzdru TO220-3 od výrobce IXYS
Tranzistor IXFX100N65X2 od výrobce IXYS s maximálním napětím 650V a proudem 100A v pouzdru TO247PLUS
Tranzistor KSP2222ABU s maximálním napětím 40V a proudem 0,6A v pouzdru TO92 od výrobce ON Semiconductor
Bipolární tranzistor PNP; UCE 120V; IC 30A; výkon 200W; pouzdro TO3.
Nacházíte se na straně 6 z 10.
