Nastavení
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 40V a proudem 250A v pouzdru D2PAK od výrobce Infineon
Bipolární tranzistor PNP; Darlington; UCE 30V; IC 1A; 0,625W; pouzdro TO92.
Bipolární tranzistor NPN; Darlington; UCE 30V; IC 1,2A; 0,625W; pouzdro TO92.
Tranzistor PNP s maximálním napětím 65V a proudem 0,1A v pouzdru TO92 od výrobce Diotec Semiconductor
Tranzistor NPN s maximálním napětím 80V a proudem 0,1A v pouzdru SOT23 od výrobce Diotec Semiconductor
Tranzistor NPN s maximálním napětím 65V a proudem 0,1A v pouzdru SOT23 od výrobce Nexperia
Bipolární tranzistor NPN; UCE 80V; IC 1A; výkon 2W; pouzdro SOT223.
Bipolární tranzistor NPN; UCE 20V; IC 2A; výkon 1,35W; pouzdro SOT223.
Tranzistor NPN Darlington s maximálním napětím 60V a proudem 0,5A v pouzdru SOT23 od výrobce Infineon
Tranzistor s maximálním napětím 60V a proudem 1A v pouzdru SOT89 od výrobce Nexperia
Nacházíte se na straně 5 z 15.
