Nastavení
Tranzistor IHW15N120R3 (H15R1203) od výrobce Infineon s maximálním napětím 1200V a proudem 30A v pouzdru TO247-3
Tranzistor N-JFET BF256B s maximálním napětím 30V a proudem 0,013A v pouzdru TO92 od výrobce ONSEMI.
Unipolární tranzistor N-MOSFET s max. napětím 55V, proudem 98A a výkonem 150W v pouzdru TO220.
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 100V a proudem 42A v pouzdru TO247AC od výrobce Infineon Technologies
Tranzistor N-MOSFET s napětím 500V, proudem 17A a výkonem 190W v pouzdru TO-220-3 od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor N-MOSFET s napětím 650V a proudem 68A v pouzdru TO247 od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor STFH13N60M2 od výrobce STMicroelectronics s maximálním napětím 600V a proudem 11A v pouzdru TO220FP
Tranzistor BD242C od výrobce ON Semiconductor s maximálním napětím 1200V a proudem 3A v pouzdru TO220
Tranzistor IHW20N120R3 (H20R1203) od výrobce Infineon s maximálním napětím 1200V a proudem 40A v pouzdru TO247
Tranzistor N-MOSFET s napětím 60V a proudem 160A v pouzdru TO220 od výrobce International Rectifier
Tranzistor N-MOSFET s napětím 40V, proudem 250A a výkonem 230W v pouzdru TO-220AB od výrobce Infineon
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 40V a proudem 172A v pouzdru TO220 od výrobce Infineon
Sada 170 kusů různých bipolárních tranzistorů v pouzdru TO92
Sada bipolárních tranzistorůPouzdro: TO92V balení: 300 ks
Bipolární tranzistor PNP v pouzdru TO3PLMaximální napětí UCE: 230VMaximální proud IC: 15A
Tranzistor BD911 od výrobce STMicroelectronics s maximálním napětím 100V a proudem 15A v pouzdru TO220
Nacházíte se na straně 2 z 10.
